Infineon英飛凌IRF7309TRPBF功率MOSFET
發布時間:2024-08-26 10:02:03 瀏覽:2558
IRF7309TRPBF是一款由IR公司生產的第五代HEXFET?功率MOSFET,它采用了先進的處理技術,旨在實現超低的導通電阻,從而在單位硅面積上達到盡可能低的電阻值。這款器件具有優越的速度開關性能和強健的設計,使其成為眾多應用中的高效設備。

主要特點:
第五代技術:利用最新的技術進步,提供優化的性能。
超低導通電阻:N溝道為0.050Ω,P溝道為0.10Ω,有助于減少功率損耗。
雙N溝道和P溝道MOSFET:在一個封裝內集成了兩種類型的MOSFET,方便設計。
表面貼裝:適用于自動化組裝,提高生產效率。
提供卷帶包裝:便于大規模生產中的連續供應。
動態dv/dt等級:能夠處理快速的電壓變化率,提高系統的穩定性。
快速切換:快速開關特性有助于提高系統效率。
無鉛:符合環保標準,減少對環境的影響。
封裝類型:
SO-8封裝:標準的表面貼裝封裝,適用于多種電路板設計。
參數:
| Parametrics | IRF7309 |
| ID (@25°C) max | 4 A ; -3 A |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Ptot (@ TA=25°C) max | 1.4 W |
| Package | SO-8 |
| Polarity | N+P |
| QG (typ @4.5V) | 16.7 nC ; 16.7 nC |
| Qgd (typ) | 5.3 nC ; 6 nC |
| RDS (on) (@4.5V) max | 80 m? ; 160 m? |
| RDS (on) (@10V) max | 50 m? ; 100 m? |
| RthJA max | 90 K/W |
| Tj max | 150 °C |
| VDS max | 30 V ; -30 V |
| VGS(th) min | -1 V ; 1 V |
| VGS max | 20 V |
IR HiRel原為美國知名半導體品牌,現被Infineon收購。深圳市立維創展科技有限公司,優勢渠道供貨IR高可靠性系列產品,歡迎各界前來咨詢。
推薦資訊
英飛凌推出的PVI1050NS光伏繼電器,用于驅動功率MOSFET或IGBT。具有高電流和電壓開關能力,光學隔離,可在低電平和高能負載電路之間隔離。適用于電信、工控、儀器儀表等領域。
Ampleon CLF24H4LS300P是一款300W的GaN-SiC HEMT功率晶體管,專為2400 MHz至2500 MHz頻率范圍內的烹飪、工業、科學和醫療應用設計。它具有高效率、優秀的堅固性和寬帶操作能力,內部輸入匹配,無需外部匹配網絡,且符合RoHS合規性。在VDS = 50V,VGS = -5V,環境溫度25°C的類AB/類C應用電路中,該晶體管在連續波(CW)條件下輸出功率為320W,增益為14dB,效率為74%;在CW脈沖條件下輸出功率為350W,增益為14dB,效率為75%。它采用SOT1214B無耳法蘭陶瓷封裝,具有良好的熱特性和電氣特性,適用于RF功率放大器。
在線留言