Semelab D2220UK射頻功率MOSFET
發布時間:2026-01-21 09:15:43 瀏覽:211
D2220UK 是由 Semelab(現為 TT Electronics) 生產的一款 射頻功率 MOSFET(金屬柵場效應晶體管),主要用于高頻放大器和射頻(RF)應用。

器件類型:N-溝道 MOSFET 射頻功率晶體管
最大漏源擊穿電壓 VDS :40 V
最大柵源電壓 VGS :±20 V
連續漏極電流 ID :4 A
最大功率耗散:~17.5 W
典型輸出功率:~5 W (測試環境)
工作頻率范圍:1 MHz ~ 1 GHz(典型 RF)
增益(最小):大約 10 dB
封裝形式:SO-8 表面貼裝
工作溫度:最多約 +150 °C(結溫)
RoHS 兼容:是,符合無鉛環保標準
應用場景
射頻放大器(RF PA)
通信基站前端增益網絡
高頻信號放大與匹配電路
無線電發射和接收系統
寬帶放大模塊設計
Semelab公司是一家專注于高可靠性半導體器件的制造商,提供功率半導體、RF MOSFET等產品,深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Semelab產品線,歡迎咨詢了解。
推薦資訊
HFBM075100C是iNRCORE一款高頻巴倫適配器,專為高清電視傳輸設計,支持1.485Gbps數據速率,將100Ω平衡信號轉換為75Ω單端信號。其特點包括低插入損耗(最大2.0dB)、低抖動(最大110皮秒)、寬工作溫度范圍(-55°C至+125°C),以及出色的環境適應性和EMI防護。機械尺寸緊湊,采用SMA和微型同軸連接器,確保兼容性和可靠性。電路設計包含初級和次級線圈,以及地線,增強信號穩定性。
Rogers的RO4360?高頻層壓板專為高頻放大器設計,具有優異的6.15介電常數和0.003損耗因子,采用陶瓷填充和玻璃纖維增強,符合環保標準,兼容標準PCB加工,具有280oC高Tg和30 PPM/oC低CTE,確保多層電路可靠性。適用于高頻應用如功率放大器和貼片天線,支持無鉛工藝,為特定設計需求提供解決方案。
在線留言