Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG
發布時間:2026-02-25 09:57:09 瀏覽:114
Onsemi NTTFS6H860NL是一款針對高效能電源管理應用優化的N溝道功率MOSFET器件,特別適合空間受限的現代電子設備設計。其核心競爭力體現在將80V耐壓能力與極低導通電阻(最低16.5mΩ)集成于業界領先的3.3mm×3.3mm微型封裝中,為設計工程師提供了功率密度與能效的完美平衡方案。

關鍵規格參數
漏源擊穿電壓(V(BR)DSS):80V
連續漏極電流(ID):30A
最大導通電阻(RDS(on)):20 (@10V) / 26 (@4.5V)mΩ
最大柵源電壓(VGS):±20V
脈沖漏極電流(IDM):122A
工作溫度范圍:-55至+175°C
尺寸: 3.3×3.3mm(WDFN8)
功率耗散(最大值):3.1W(Ta),42W(Tc)
典型應用
電源轉換:DC-DC/AC-DC模塊
電機驅動:無人機/機器人控制器
快充設備:65W USB PD充電器
深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉換器模塊及碳化硅(SiC)產品,歡迎咨詢了解。
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